L'ensemble de mes travaux de recherche a concerné l'instrumentation spécifique de mesure et l'étude du bruit à basse fréquence dans divers composants : composants semiconducteurs actifs ou passifs intégrés dans des technologies avancées, transistors en couches minces à base de Silicium et composants micro-gravées sur des couches minces d'un oxyde à propriétés particulières : le composé (LSMO).

La figure ci-dessous synthétise les différents thèmes d’étude depuis ma thèse

 

L'étude du bruit à basse fréquence est un domaine de grand intérêt :

 

    •    par sa nature aléatoire, il limite les performances de certaines applications dans le domaine des basses fréquences (préamplification) mais il intervient aussi via des effets non linéaires propres aux caractéristiques des composants dans tous les domaines de fréquences limitant ainsi les performances de composants utilisés à hautes fréquences (oscillateurs, mélangeurs,...).

    •    De nombreuses études ont montré que le niveau de bruit à basse fréquence est un indicateur de qualité de réalisation technologique d'un dispositif. Il peut donc être utilisé comme un facteur de mérite très sensible pour quantifier la qualité d'une réalisation technologique : des écarts de plusieurs décades peuvent être observés sur le niveau de bruit d'échantillons.

    •    Enfin, le bruit basse fréquence, conséquence du transport de porteurs dans des matériaux, est une signature supplémentaire des mécanismes de conduction électrique. Son étude permet de confirmer des modèles physiques de fonctionnement des dispositifs.